Mga Target na Sputtering ng Busbar na may Mataas na Kadalisayan na Tanso (4N-6N)

Tampok na Larawan para sa mga High-Purity Copper Busbar Sputtering Target (4N-6N)

Maikling Paglalarawan:

Mga Detalye ng Produkto
Pangalan： Mataas na Kadalisayan na Tanso na Busbar Sputtering Target
Pamantayan： ASTM F68 (Oxygen-Free Electronic Copper), ASTM B115, Kadalisayan ≥99.99% (4N-6N), Sumusunod sa RoHS, Sumusunod sa REACH
Materyal： C10100 (OFHC Tanso), C10200 (Tanso na Walang Oksiheno), Mataas na Kadalisayan ng Cu (4N/5N/6N)
Ibabaw： Precision Machined/Pinilisin, Ra ≤0.5 μm, Opsyonal na Indium Bonding sa Backing Plate
Haba： 500mm – 4000mm
Lapad： 50mm – 400mm
Kapal： 5mm – 30mm
Mga Tampok ng Produkto: Napakataas na kadalisayan na may kaunting dumi · Napakahusay na electrical at thermal conductivity · Pare-parehong microstructure para sa matatag na sputtering · Mataas na paggamit ng materyal sa malalaking lugar na deposition · Napakahusay na pagkakapareho at pagdikit ng film · Mababang outgassing at pagbuo ng particle · Pinahabang target na buhay sa mga tuluy-tuloy na proseso
Larangan ng Aplikasyon: Thin-film solar cells (CIGS, CdTe, perovskite), Mga display na flat panel na may malalaking lugar, Mga patong na salamin na pang-arkitektura, Mga patong na pang-sasakyan at pangdekorasyon, Mga touch screen at flexible na elektroniko, Mga barrier layer sa packaging, Mga sistema ng linear deposition na nasa antas ng pananaliksik, Mga linya ng produksyon ng PVD na may mataas na throughput

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Bidyo

Target na Sputtering ng Busbar na may Mataas na Kadalisayan na Tanso – Pahayag ng Proseso at Pagtitiyak ng Kalidad

Ang aming mga target na copper busbar ay partikular na binuo para sa malawak na lugar, mataas na volume na pisikal na pagdeposito ng singaw kung saan mahalaga ang pantay na patong sa mas mahabang haba.

Mga pangunahing tampok ng proseso

Gumagamit ang pagmamanupaktura ng mga advanced na pamamaraan ng metalurhiko at machining upang makapaghatid ng pare-parehong pagganap:
●Panimulang Materyal: Ang mga premium electrolytic copper cathode na may napatunayang ultra-high purity ang nagsisilbing base.
●Pagpino ng Vacuum: Maraming yugto ng pagtunaw gamit ang vacuum ang nag-aalis ng mga duming gas at metal upang makamit ang mga antas na 4N-6N.
●Tuloy-tuloy na Paghahagis: Ang kontroladong mainit na extrusion o patuloy na paghahagis ay nakakagawa ng mahahabang, siksik na mga billet na may magkakatulad na istraktura.
●Hot Working: Ang pagpapanday at paggulong ay nagpipino sa laki ng butil at nakakamit ng halos buong teoretikal na densidad.
●Pagputol at Pagmamakina nang May Katumpakan: Ang paglalagari at paggiling gamit ang CNC ay lumilikha ng tumpak na mga parihabang dimensyon na may magkaparehong mga gilid.
●Paghahanda ng Ibabaw: Ang maraming yugto ng paggiling at pagpapakintab ay nakakagawa ng malinis at walang depektong mga ibabaw na naglalaway.
●Mga Opsyon sa Pagbubuklod: May magagamit na mababang temperaturang indium o elastomeric bonding sa mga backing plate na gawa sa hindi kinakalawang na asero o molybdenum.
●Pagbalot sa Malinis na Silid: Tinitiyak ng pangwakas na ultrasonic cleaning at double-bagged vacuum sealing na walang kontaminasyon ang paghahatid.

Sistema ng kontrol sa kalidad

● Kumpletong pagsubaybay mula sa pinagmulan ng cathode hanggang sa natapos na target ng busbar
● Kumpletong sertipikasyon ng materyal at mga ulat sa pagsubok na kasama ng bawat yunit
● Mga sample ng archive na itinago nang ≥3 taon para sa independiyenteng beripikasyon (SGS, BV, atbp.)
● 100% inspeksyon ng mahahalagang parametro:
• Pag-verify ng kadalisayan (pagsusuri ng GDMS/ICP; ang oksiheno ay karaniwang <5 ppm)
• Pagsubok ng densidad (≥99.5% teoretikal)
• Pagsusuri ng istruktura ng butil (metalograpiya)
• Katumpakan ng dimensyon (CMM; paralelismo ≤0.1mm tipikal)
• Kalidad at pagkamagaspang ng ibabaw (profilometer + inspeksyon sa cleanroom)
● Ang mga panloob na espesipikasyon ay higit pa sa mga pamantayan ng ASTM F68. Karaniwang mga katangian: Thermal conductivity >395 W/m·K, Pare-parehong arc-free sputtering behavior, Mataas na deposition rates sa mga magnetron system.